НЕРАВНОВЕСНЫЕ ПРОЦЕССЫ НА КОНТАКТЕ ПОЛУПРОВОДНИК – ПЛАЗМА ГАЗОВОГО РАЗРЯДА

Теоретически рассмотрены особенности свойств плазменных контактов полупроводника в сверхтонкой газоразрядной ячейке, в частности кинетика нарастания потока носителей при включении прямоугольной ступени напряжения. Анализирован более сложный случай, когда последовательно со слоем фоточувствительного полупроводника имеется слой распределенного сопротивления, а также – случай, когда напряжение, подаваемое на газоразрядную ячейку, имеет более сложную форму, чем прямоугольная ступень. В частности показано, что стационарная величина концентрации неравновесных носителей пропорциональна освещенности, а воздействие плазмы дает линейное усиление фототока. 

Theoretically, the features of the plasma contacts of a semiconductor in an ultrathin gas discharge cell are considered, in particular, the kinetics of the increase in the carrier flux when a rectangular voltage stage is turned on is considered. A more complicated case is considered when there is a layer of distributed resistance in series with the photosensitive semiconductor layer, as well as the case when the voltage supplied to the gas discharge cell has a more complex shape than a rectangular step