773

Nashriyot haqida ma'lumot

Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Telefon: +998 71 248 79 94

Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru

Nomi 2020, том 2, выпуск 3
Jurnal Физика полупроводников и микроэлектроника
Tom raqami 2
Nashr etilgan sana 25/06/2020
Sahifalar 70
Bu yil bo'yicha nashr raqami 3
Umumiy soni 6
Fayl
Kutilmoqda
Maqolaning to'liq nomi Til Sahifa Ko'rishlar soni O'qishlar soni

ABOUT THE CHARACTERISTICS OF MULTILAYER THIN-FILM STRUCTURES WITH DYES BASED ON TITANIUM DIOXIDE

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 46-49 171 0

THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS ON PROPERTIES OF IRRADIATED SILICON MIS STRUCTURES

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 50-52 386 0

INFLUENCE OF THE GAMMA IRRADIATION ONTO IV CURVE OF THE SURFACE BARRIER METALL-SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH MICRO-TEXTURED INTERFACE

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 53-55 190 0

STUDY OF STRUCTURAL DISORDERING OF SILICON IONIC IMPLANTED WITH MANGANESE BY THE METHOD OF COMBINATION LIGHT SCATTERING (RS).

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 56-59 208 0

THE EFFICIENCY OF SOLAR DRYERS

Физика полупроводников и микроэлектроника

Ingliz 60-63 192 0