544
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2020, том 2, выпуск 4 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 2 | ||
| Nashr etilgan sana | 25/08/2020 | ||
| Sahifalar | 69 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 4 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 48-51 | 155 | 0 |
|
POSSIBILITIES OF USING HIGHLY COMPENSATED SILICON IN ELECTRONICS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 52-54 | 124 | 0 |
|
INFLUENCE OF HIGH RADIATION DOSES ON THE BEHAVIOR OF TRANSITION ELEMENT IMPURITIES IN SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 55-58 | 98 | 0 |
|
CIRCUIT SIMULATION OF RADIATION-SENSITIVE PARAMETERS OF THE OPERATIONAL AMPLIFIER LM358 Физика полупроводников и микроэлектроника |
O'zbek | 59-62 | 55 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 63-66 | 223 | 0 |