Nomi | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
Tom raqami | 1 | ||
Nashr etilgan sana | 25/06/2019 | ||
Sahifalar | 76 | ||
Bu yil bo'yicha nashr raqami | 3 | ||
Umumiy soni | 6 | ||
Fayl |
Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
---|---|---|---|---|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 37-42 | 174 | 0 |
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 50-55 | 407 | 0 |
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 56-61 | 325 | 0 |
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 62-67 | 443 | 0 |
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 68-75 | 491 | 0 |