613
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2019, том 1, выпуск 5 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 1 | ||
| Nashr etilgan sana | 27/10/2020 | ||
| Sahifalar | 79 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 5 | ||
| Umumiy soni | 79 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 9-27 | 476 | 0 |
|
ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕНОСА ТОКА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ n-GaP-p-(InSb)1-x(Sn2)x ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 28-35 | 370 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ОБРАБОТОК НА ПОВЕДЕНИЕ ГЛУБОКИХ УРОВНЕЙ В КРЕМНИИ ЛЕГИРОВАННОМ ПЛАТИНОЙ Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 36-40 | 344 | 0 |
|
DIGITAL HOLOGRAPHIC INTERFEROMETRY IN PHYSICAL MEASUREMENTS Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 270 | 0 | |
|
THREE-BARRIER Au/AlGaAs(n)/GaAs(p)/Ag PHOTODIODE STRUCTURES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 47-51 | 389 | 0 |