Приводится анализ результатов исследований физических свойств металл-диэлектрик полупроводниковых (МДП) структур типа Al-SiО2-Si. Отмечено, что в таких структурах, полученных методом термического окисления основным, определяющим параметров МДП-структур являются поверхностные состояния (ПС) на границе раздела Si-SiО2. Облучение γ-квантами МДП–структур приводит к увеличению Nss и Dss а также изменению распределения их по энергии в запрещенной зоне Si. Из анализа исследований структуры твердых растворов на основе кремния и гетероструктур электрофизическими, фотоэлектрическими, рентгенструктурными и сканирующими зондовыми микроскопическими методами, установлены структурные особенности и определены возможности создания новых многослойных электронных изделий с уникальными функциями.
Приводится анализ результатов исследований физических свойств металл-диэлектрик полупроводниковых (МДП) структур типа Al-SiО2-Si. Отмечено, что в таких структурах, полученных методом термического окисления основным, определяющим параметров МДП-структур являются поверхностные состояния (ПС) на границе раздела Si-SiО2. Облучение γ-квантами МДП–структур приводит к увеличению Nss и Dss а также изменению распределения их по энергии в запрещенной зоне Si. Из анализа исследований структуры твердых растворов на основе кремния и гетероструктур электрофизическими, фотоэлектрическими, рентгенструктурными и сканирующими зондовыми микроскопическими методами, установлены структурные особенности и определены возможности создания новых многослойных электронных изделий с уникальными функциями.
The analysis of the study’s results of the physical properties of metal-insulator-semiconductor (MIS) structures of the Al-SiO2-Si type is presented. It is noted in such structures obtained by the method of thermal oxidation, the main determining parameters of MIS structures are surface states (SS) at the Si-SiO2 interface. The irradiation with γ-quanta of MIS structures leads to an increase in Nss and Dss and, also to a change in their energy distribution in the Si band gap. Studies of the structure of silicon-based solid solutions and heterostructures by electro-physical, photoelectric, X-ray structural and scanning probe microscopic methods have established structural features and determined the possibility of creating new multilayer electronic products with unique functions.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Daliev K.S. | Директор | директор филиала НИУ «МЭИ» в городе Ташкенте |
| 2 | Yulchiev S.K. | Доцент | Андижанский государственный университет |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | Яримўтказгичлар физикаси ва микроэлектроника |