| Title | Authors | Main Language | Views | Readings |
|---|---|---|---|---|
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Tagaev M.B., Abdikamalov B.A., Statov V.A., Bekbergenov S.E. |
Rus | 576 | 0 |
|
МОДЕРНИЗАЦИЯ ФОТО-ТЕПЛОВОЙ БАТАРЕИ ДЛЯ ПОВЫШЕНИЯ ЭФФЕКТИВНОСТИ ИСПОЛЬЗОВАНИЯ В УСЛОВИЯХ ЖАРКОГО КЛИМАТА
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Muminov R.A., Tursunov M.N., Sabirov K.., Shokuchkorov S.K., Pirimmatov M.P., Eshmuradova M.N. |
Rus | 538 | 0 |
|
РАДИАЦИОННЫЕ И КОНВЕКТИВНЫЕ ПОТЕРИ В ТЕПЛООТВОДЯЩЕМ КАНАЛЕ ФОТОТЕПЛОПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯ
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Tukhfatullin O.F., Muminov R.A. |
Rus | 496 | 0 |
|
РАДИАЦИОННОЕ И ТЕРМИЧЕСКОЕ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЕ В КРЕМНИЕВЫХ МДП-СТРУКТУРАХ С ПРИМЕСЯМИ ТУГОПЛАВКИХ ЭЛЕМЕНТОВ
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Daliev K.S., Daliev S.K., Paluanova A.D., Khusanov Z.. |
Rus | 496 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ ДОЗЫ - ОБЛУЧЕНИЯ НА МЕХАНИЗМ ПЕРЕНОСА ТОКА ФОТОПРИЕМНИКОВ С ПДП СТРУКТУРОЙ pCdTe-TeO2-n SnO2
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Utamuradova S.B., Muzafarova S.A. |
Rus | 451 | 0 |
|
ЗАРЯДОВОЕ РАСПРЕДЕЛЕНИЕ ИОНОВ Si, ЭМИТИРУЕМЫХ МОНОЭЛЕМЕНТНОЙ ЛАЗЕРНОЙ ПЛАЗМОЙ, ДО И ПОСЛЕ γ- ОБЛУЧЕНИЯ МИШЕНИ
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Azamatov Z.T., Nasriddinov S.S., Satiboldiev T.B., Tojinazarov F.M., Kodirov S.R. |
Rus | 429 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ГОЛОГРАФИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКЛООБРАЗНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ (ХСП) ПЛЕНОК
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Azamatov Z.T., Azamatov T.Z., Bekchanova M.R. |
Rus | 428 | 0 |
|
СПЕКТРЫ ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В ПОРОШКАХ ОКСИДА ЦИНКА ПРИ ЛАЗЕРНОМ ВОЗБУЖДЕНИИ
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rakhmatullaev I.A., Gorelik V.S., Kurbonov A.K. |
Rus | 411 | 0 |
|
ВЛИЯНИЕ γ - ОБЛУЧЕНИЯ НА ХАРАКТЕРИСТИКИ ТЕРМОДАТЧИКА НА ОСНОВЕ Si < Ni >
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ismoilov S.A., Nasriddinov S.S., Esbergenov D.M. |
Rus | 388 | 0 |
|
THE INFLUENCE OF EXTERNAL FACTORS ON PROPERTIES OF IRRADIATED SILICON MIS STRUCTURES
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Daliev K.S. | Ingliz | 387 | 0 |