412

  • Name of journal
  • Number of edition
  • View count 412
  • Web Address
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_8
  • Date of creation in the UzSCI system 14-08-2020
  • Read count 304
  • Date of publication
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages57-61
Tags
Русский

Методами ИК-поглощения и рентгеновской топографии изучено влияние внешних факторов на дефектную структуру кремния, легированного вольфрамом. Обнаружена корреляция между уменьшением концентрации междоузельного оптически активного кислорода и глубоких уровней, связанных с атомами вольфрама с изменением размеров крупных скоплений дефектных частиц различной формы в Si при отжиге.

Русский

the influence of external factors on the defective structure of silicon doped with tungsten has been studied using IR absorption and x-ray topography. A correlation was found between a decrease in the concentration of interstitial optically active oxygen and deep levels associated with tungsten atoms with a change in the size of large clusters of defective particles of various shapes in Si during annealing

№ Author name position Name of organisation
1 Daliev S.K.
2 Paluanova A.D.
3 Ergashev J..
4 Rakhimov A..
№ Name of reference
1 Vyvenko O.F., Sachdeva R. et al, Study of diffusivity and electrical properties of Zr and Hf in silicon, in Semiconductor Silicon-2002. 2002, The Electrochemical Society: Pennington. p. 410-451.
2 Codegoni D., Polignano M.L., Caputo D., Riva A. et.al. Molybdenum Contamination in Silicon: Detection and Impact on Device Performances. Solid State Phenomena Vols. 145-146 (2009) pp 123-126.
3 Gerasimenko N.N. Kremnij - material nano`elektroniki. M.: Tehnosfera, 2007. - S.351.
4 Daliev Sh.H., Mamadalimov A.T., Nasriddinov S.S., Paluanova A.D., Bekmuratov M.B. Vliyanie termoobrabotki na povedenie glubokih urovnej v kremnii, legirovannom vol'framom. Fizika poluprovodnikov i mikro`elektronika. 1 (01) 2019, s.23-26.
Waiting