479

Ушбу ишда кремний кристалл панжарасида марганец атомлари нанокластерларини шакллантириш билан кремнийнинг фотоэлектрик ва магнит хоссаларини тубдан ўзгартириш мумкинлиги кўрсатилган.  Бундай материалларда ёруғлик спектрини сезиш катта тўлқин узунликлари  томонга силжиши ва 1,5 – 10 мкм соҳада гигант фотоўтказувчанлик кузатилди, бундан ташқари, хона ҳароратида аномал тескари магнит қаршилик ва биринчи марта кремний материалида T<30 K ҳароратда ферромагнит ҳолат аниқланди. Шундай қилиб, магнитли ва кўпзарядли нанокластерлар мавжуд кремний замонавий фотоника ва спинтроника учун янги синф материали ҳисобланади.

  • Web Address
  • DOI
  • Date of creation in the UzSCI system 04-07-2022
  • Read count 0
  • Date of publication 27-03-2015
  • Main LanguageO'zbek
  • Pages10-13
Ўзбек

Ушбу ишда кремний кристалл панжарасида марганец атомлари нанокластерларини шакллантириш билан кремнийнинг фотоэлектрик ва магнит хоссаларини тубдан ўзгартириш мумкинлиги кўрсатилган.  Бундай материалларда ёруғлик спектрини сезиш катта тўлқин узунликлари  томонга силжиши ва 1,5 – 10 мкм соҳада гигант фотоўтказувчанлик кузатилди, бундан ташқари, хона ҳароратида аномал тескари магнит қаршилик ва биринчи марта кремний материалида T<30 K ҳароратда ферромагнит ҳолат аниқланди. Шундай қилиб, магнитли ва кўпзарядли нанокластерлар мавжуд кремний замонавий фотоника ва спинтроника учун янги синф материали ҳисобланади.

Русский

В данной работе показано, что формированием нанокластеров атомов марганца в решетке кремния можно существенно менять фотоэлектрические и магнитные свойства кремния. В таких материалах обнаружено существенное расширение спектральной области чувствительности в сторону больших длин волн, обнаружена гигантская фотопроводимость в области 1,5 – 10 мкм, а также аномально высокое сопротивление магнита при комнатной температуре, в образцах кремния с максимальным зарядовым состоянием при T<30 K обнаружено впервые ферромагнитное состояние в кремнии. Таким образом, установлено, что кремний с магнитными и многозарядными нанокластерами является новым классом материалов для современной фотоники, спинтроники.

English

The present article reports that by forming nanoclusters in the crystal lattice of silicon one can change photoelectric and magnetic properties of silicon.  Significant widening of spectral sensitivity area is revealed in such samples towards higher wavelengths and giant photoconductivity in the range of 1,5 – 10 m km, as well as anomalous high magnetic resistance in room temperature in silicon samples with max charge state atT<30 K  first ferromagnetic state in silicon is revealed. Thus, it was established that silicon with magnetic and multicharge clusters is a new material for modern photonics and spintronics.
 

Name of reference
1 1. Ludwig G.W., Woodbury H.H., Carlson R.O. // J.Phys.Chem. Sol., 1959. V.8. P.490.
2 2. Kreissl J., Gehlhoff W. // phys.stat.sol. 1988.– V.145 (b).– P. 609-616.
3 3. Бахадырханов М. К., Мавлонов Г.Х., Исамов С.Б., Илиев Х.М., Аюпов К.С., Сапарниязова З.М., Тачили С.А. // 2011.- Т.47- В.5.-С. 545-550.
4 4. Абдурахманов К.П., Лебедев А.А, Крейсль Й., Утамурадова Ш.Б. Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем // ФТП 1985.– Т. 19. В. 2.– С. 213-216.
5 5. Вейнгер А.И., Забродский А.Г., Тиснек Т.В. // ФТП. 2000. Т. 34. Вып.7. С. 774–782.
6 6. Аскеров Б.М., Фигарова С.Р., Гусейнов Г.И. // ФТП. 2014. Т. 48. Вып. 6. С. 768–773.
7 7. Бахадырханов М.К., Мавлонов Г.Х., Аюпов К.С., Исамов С.Б. // ФТП. 2010. Т. 44. Вып. 9. С. 1181–1184.
8 8. Bakhadyrkhanov M. K., Mavlonov G. Kh., and Iliev Kh. M. // Technical Physics, 2014, Vol. 59, No. 10, pp. 1556–1558.
Waiting