P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг
мавжудлиги – спектрал оптик хотира учун зарур шароитларни яратади. Релаксация вақти 25 сутка
атрофида. Гетеротузилмадан оптоэлектрон спектрал хотира ячейкаси сифатида фойдаланиш мумкин,
бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.
P-CdTe-SiO 2 -Si-Al гетеротузилмасида асимметрик микропотенциал барьерлар ва чуқур тутқичларнинг
мавжудлиги – спектрал оптик хотира учун зарур шароитларни яратади. Релаксация вақти 25 сутка
атрофида. Гетеротузилмадан оптоэлектрон спектрал хотира ячейкаси сифатида фойдаланиш мумкин,
бунда у сигналларни нафақат сақлабгина қолмасдан, уларни жамлаб ҳам боради.
В гетероструктуре P-CdTe-SiO 2 -Si-Al легко реализуются необходимые условия для существования
оптической спектральной памяти - наличие асимметричных микропотенциальных барьеров и глубоких
ловушек. Время релаксации ‒ около 25 суток. Гетероструктуру можно использовать как оптоэлектронную
спектральную ячейку памяти, способную не только запоминать сигналы, но и суммировать их.
In heterestructure, Р-CdTe-SiO 2- Si-Al it is easily realized necessary conduction for existence of optical spectral
memory presence asymmetric micro potential barriers and deep equations. Time of a relaxation, which happens about
25 days. It is possible to use heterestructure as opto - electronic memory capable not only to remember signals, but also
to summarize them.
№ | Author name | position | Name of organisation |
---|---|---|---|
1 | Xoldorov M.. | 4 | Ferghana State University |
2 | Otajonov S.. | 3 | Ferghana State University |
3 | Alimov N.. | 1 | Ferghana State University |
4 | Botirov K.. | 2 | Ferghana State University |
№ | Name of reference |
---|---|
1 | 1. Шейнкман М.К., Шик А.Я.//ФТП. - 1976. - № 10. |
2 | 2. Отажонов С.М.//Физическая инженерия поверхности. - 2004. - Т. 2, № 1-2. |
3 | 3. Вайткус Ю.Ю., Отажонов С.М.//Поверхность. АН России. - 1999. - № 3. |
4 | 4. Абдуллаев Э., Вайткус Ю., Отажонов С. Запоминающее устройство. // Патент. I НДР РУз. № 9700869.1. от 15.03.99. |