1123
Publisher info
Name:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Address:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Phone: +998 71 248 79 94
Email: ispm_uz@mail.ru
| Name | 2019, Том 1, выпуск 3 | ||
| Journal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Volume Number | 1 | ||
| Published At | 26/06/2019 | ||
| Pages | 76 | ||
| Issue Number | 3 | ||
| Total number | 6 | ||
| File | |||
| The full name of the article | Language | Pages | View count | Read count |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 37-42 | 343 | 0 |
|
ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 50-55 | 772 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 56-61 | 640 | 0 |
|
СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 62-67 | 763 | 0 |
|
ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo Физика полупроводников и микроэлектроника |
Rus | 68-75 | 872 | 0 |