Методами оже-электронной спектроскопии, растровой электронной и атомно-силовой микроскопии изучено формирование эпитаксиальных слоев NiSi2 при осаждении Ni в Si с последующим отжигом. Показано, что при толщинах h<150 Å формируются островковые пленки NiSi2.

The methods of Oje electron spectroscopy, scanning electron and atomic force microscopy were used to study the formation of NiSi2 epitaxial layers during the deposition of Ni in Si with subsequent annealing. It has been shown that island thicknesses NiSi2 are formed at thicknesses h <150 Å.