Методами ИК-поглощения и емкостной спектроскопии исследованы процессы дефектообразования в Si с примесями Т-ионов. Изучена кинетика отжига глубоких уровней и определены энергии активации отжига глубоких уровней Т-ионов. Установлено, что эффективность образования и кинетика отжига ГУ зависит от содержания кислорода и углерода в кремнии.

Тhe processes of defect formation in Si with t-ion admixtures have been studied using IR absorption and capacitive spectroscopy. The kinetics of deep-level annealing was studied and the activation energies of deep-level annealing of T-ions 32 were determined. It was found that the efficiency of formation and the kinetics of annealing GU depends on the content of oxygen and carbon in silicon.