260

Мақолада энергияси Е=40 кэВ, дозаси эса 6,0·1014 см-2 бўлган марганец ионлари имплантация қилинган кремний монокристалли сиртида ҳосил бўлган аморф ҳолатнинг лазерли куйдириш таъсирида юзага келадиган ўзгаришлари ёруғликнинг комбинацион сочилиш спектроскопмясм (КСС) усули билан ўрганилган. Комбинацион сочилиш (КС) спектрларида аморф ва кристаллик ҳолатга мос келувчи чизиқлар ва уларнинг лазерли куйдириш таъсиридаги ўзгаришлари аниқланган. Лазер импульси энергия зичлиги қийматининг ошиши билан бу чизиқларнинг структура ўзгаришларига монанд равишда ўзгаришлари аниқланган. Лазер импульси энергия зичлигининг структура ўзгаришларига олиб келувчи чегаравий қиймати топилган

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 260
  • Internet havola
  • DOIdoi.org/10.47100/conference_physics/S2_22
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 20-08-2020
  • O'qishlar soni 151
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilO'zbek
  • Sahifalar141-145
Ўзбек

Мақолада энергияси Е=40 кэВ, дозаси эса 6,0·1014 см-2 бўлган марганец ионлари имплантация қилинган кремний монокристалли сиртида ҳосил бўлган аморф ҳолатнинг лазерли куйдириш таъсирида юзага келадиган ўзгаришлари ёруғликнинг комбинацион сочилиш спектроскопмясм (КСС) усули билан ўрганилган. Комбинацион сочилиш (КС) спектрларида аморф ва кристаллик ҳолатга мос келувчи чизиқлар ва уларнинг лазерли куйдириш таъсиридаги ўзгаришлари аниқланган. Лазер импульси энергия зичлиги қийматининг ошиши билан бу чизиқларнинг структура ўзгаришларига монанд равишда ўзгаришлари аниқланган. Лазер импульси энергия зичлигининг структура ўзгаришларига олиб келувчи чегаравий қиймати топилган

English

Using Raman scattering technique have been investigated amorphous layers formed on a surface of silicon monocrystals at manganese ion implantation with 142 energy 40 keV and the dose 6,0·1014 sm-2 under laser annealing. The lines corresponding to amorphous and crystal states, and also their changes under laser annealing are determined by Raman spectra. Are defined that with growth of density of radiation of a laser impulse, these spectral lines changes according to structural changes. It is found limit values of density radiation of a laser impulse at which it is observed structural changes.

№ Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Arzikulov E..
2 Toshboev M..
3 Akhrorov S..
4 Mamatqulov N..
№ Havola nomi
1 Yarkulov U. Ya., Ahrorov S. K., Arzikulov `E. U. Amorfizaciya kristallicheskogo kremniya pri implantacii legkih ionov.// Uzbek Journal of Physics. 2007. V. 9, № 3, P. 213-216.
2 Fal'kovskij L. A.. Issledovaniya poluprovodnikov s defektami metodom kombinacionnogo (ramanovskogo) rasseyaniya sveta, UFN, 2004, tom 174, nomer 3, 259-283
3 Avakyanc L.P., Kitov I.A., Chervyakov A.V. Avtomatizirovannaya ustanovka dlya raznostnoj spektroskopii kombinacionnogo rasseyaniya. // PT`E. 1988.-№ 2. -S. 145-149.
4 Avakyanc L.P., Gorelik V.S., Obrazcova E.D. Kombinacionnoe rasseyanie sveta v razlichnyh fazah implantirovannogo kremniya, podvergnutogo lazernomu otzhigu. // FTT. 1990. -T. 32. -№ 5. -S. 1507-1510.
Kutilmoqda