Исследовано влияние импульсного внешнего всестороннего давления на ВАХ поверхностно – барьерных диодных структур. Показано, что при адиабатическом режиме воздействии ВГС выделяемая теплота приводит к кратковременному нагреву диода, в результате чего наблюдается релаксация тока, коррелирующая с изменением температуры. Вклад температуры в изменение тока уменьшается с ростом приложенного прямого напряжения.

The effect of pulsed external all-round pressure on the I–V characteristics of surface-barrier diode structures is investigated. It is shown that under the adiabatic regime of exposure to HCV, the generated heat leads to short-term heating of the diode, as a result of which current relaxation is observed, which correlates with a change in temperature. The contribution of temperature to the change in current decreases with increasing applied forward voltage.