407

. Calculated matrix elements of optical transitions that occur between the subbands of the valence band of the semiconductor-type p-GaAs

  • Jurnal nomi
  • Nashr soni
  • Ko'rishlar soni 407
  • Internet havola
  • DOI
  • UzSCI tizimida yaratilgan sana 05-10-2020
  • O'qishlar soni 310
  • Nashr sanasi
  • Asosiy tilO'zbek
  • Sahifalar285-289
Русский

Рассчитаны матричные элементы оптических переходов, протекающих между подзонами валентной зоны полупроводника типа p-GaAs.

Ўзбек

. Calculated matrix elements of optical transitions that occur between the subbands of the valence band of the semiconductor-type p-GaAs

№ Muallifning F.I.Sh. Lavozimi Tashkilot nomi
1 Rasulov V.R.
2 Rasulov R.Y.
3 Sultonov R.R.
4 Eshboltayev I..
№ Havola nomi
1 Ivchenko E.L. Optical Spectroscopy of Semiconductor Nanostructures. - Harrow: Alpha Science International Ltd. 2005. XII. 427 p
2 Rasulov V.R., Rasulov R.Ya., Eshboltaev I. Linearly and circular dichroism in a semiconductor with a complex valence band with allowance for four-photon absorption of light // Physics of the Solid State. Springer. 2017. Vol.59, #3. pp. 463–468.
3 Бир Г.Л., Пикус Г.Е. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках. – Москва: Наука. 1973. –572 стр.
4 Ивченко Е.Л., Расулов Р.Я. Симметрия и реальная зонная структура полупроводников. –Ташкент: Фан. 1989. –126 стр
Kutilmoqda