СОЗДАНИЕ НОВЫХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПЛЁНОК С ПРИМЕНЕНИЕМ НИЗКОЭНЕРГЕТИЧЕСКОЙ ИОННОЙ ИМПЛАНТАЦИИ

В статье методами спектроскопии упруго рассеянных электронов, Оже-электронной спектроскопии и измерения вторично-эмиссионных характеристик чистых и ионно-имплантированных образцов Si , а также диэлектрических плёнок SiO2 , полученных с применением термического окисления в атмосере сухого кислорода и имплантации ионов O2   с низкой энергией в монокристаллы кремния (III) исследованы изменения условий генерации и выхода вторичных электронов из образцов. Показано, что тонкая структура энергетичесних зависимостей коэффициентов вторичной электронной эмиссии и значения их для диэлектрическах плёнок SiO2 , определяется  предысторией образцов. Плёнки SiO2,  полученные имплантацией ионов O2  обладают хорошей адгезией, сплошностью и поверхностной гладкостью. Имплантация ионов Ba+ в SiO2  с большей дозой (~8∙1016cм-2 )  при малых энергиях (Е0 =1кеВ) приводит к кристаллизации отдельных участков имплантированной области плёнок. Кристаллизация аморфной пленки является одной из причин увеличения глубины зоны выхода истинно-вторичных электронов

In the article, by the methods of spectroscopy of elastically scattered electrons, Oje electron spectroscopy and measurement of secondary emission characteristics of pure and ion-implanted Si samples. As well as dielectric SiO2  films obtained using thermal oxidation in an atmosphere of dry oxygen and implantation of low-energy O2  ions into single crystals silicon (III) investigated changes in the conditions of generation and exit of secondary electrons from the samples. It is shown that the fine structure of the energy dependences of the secondary electron emission coefficients and their values for dielectric SiO2 ,  films is determined by the history of the samples. SiO2 , films obtained by implantation of O2  ions have good adhesion, continuity, and surface smoothness. Characteristic for the implantation of Ba + ions in Si��2 ,  with a higher dose (~8∙1016cm-2 ) with an energy of bombardment (Е0  = 1 keV) that crystallizes in parts of the sections of the implanted film region. Crystallization of an amorphous film is one of the reasons for increasing the depth of the exit zone of true secondary electrons