В  спектрах  низкотемпературной 
) 2 . 4 ( K T 
  фотолюминесценции 
мелкозернистых  (
мкм dcr
1 
)  пленок 
CdTe
обнаружены  полоса  собственного  (
h e 
) 
излучения,  обусловленная  приповерхностными  потенциальными  барьерами 
кристаллических  зерен,  и  краевая  дублетная  полоса,  возникающая  как 
 LO
  фононные 
повторения 
h e 
  полосы.Легирование  пленки  примесью 
In
  приводит  к  тушению 
дублетной  полосы,  а  термическая  обработка  её  -  активации  собственной  полосы, 
коротковолновое  смещение  красной  границы  (
эВ м Er
29 16   
)  и  модуляция 
полуширины  (
мэВ A 17 6   
) которой коррелированны  с  высотой микропотенциальных 
барьеров и температурой рекомбинирующихся горячих фотоносителей

Майда  донли(
мкм dcr
1 
)  СdТе  плёнкаларининг  паст  ҳароратли 
) 2 . 4 ( K T 
  фотолюминесценция  спектрларидакристалл  доналар  сиртида  жойлашган 
потенциал тўсиқлар ва LO – фононлитакрорланишлар натижасида юзага келадиган четки 
хусусий (
h e 
) нурланиш дублет чизиғи топилган. Плёнкани In киришма билан легирлаш 
ушбу  дублет  полосанинг  сўнишига,  кейинги  термик  ишлов  бериш  эса,  иссиқ 
фототашувчиларнинг  рекомбинацияси  микропотенциал  тўсиқлар  баландлиги  ва 
хароратига боғлиқ бўлган спектрал (
мэВ A 17 6   
) ярим кенглигига эга модуляцияланган 
хусусий полосасининг кескин фаоллашувига олиб келади хамда ушбу нурланишнинг кескин 
қизил чегаравий энергияли (
эВ м Er
29 16   
) узун тўлқинлар томон силжийди.

  In  thespectrum  of  lowtemperature 
) 2 . 4 ( K T 
  photoluminescence  ofthe  fine-
grained (
m dcr
 1 
) thin 
CdTe
films is discovered a band of theown (
h e 
) radiation, specified by 
the subsurface potential barriers on border of crystalline grains and marginal double-acting band, 
appearing  as 
 LO
phonons  repetitions  of  the 
h e 
band.  The  alloyage  of  the  filmby  impurity
In
 
leads to stewingdouble-acting band, but itsfurther thermal processingto activation of the own band, 
short-wave offset of  the red border  (
meV Er
29 16   
) and modulation of  the  full width on half 
maximum (
meV A 17 6   
) which is correlated with by the height of the micro potential barriers 
and temperature ofrecombined hot photocurrents.