ишда радиациявий нуқсонлар билан компенсирланган кремнийнинг
электрофизикавий хоссаларини қайтадан гамма–квантлар билан нурлантирилганда
ўзгариши тадқиқ этилган бўлиб, олинган натижаларни тушунтирувчи намуна
ҳажмидаги кичик ва катта ўтказувчанлик соҳалари орасидаги потенциал тўсиқнинг
радиациявий катталашиши модели таклиф қилинган.
ишда радиациявий нуқсонлар билан компенсирланган кремнийнинг
электрофизикавий хоссаларини қайтадан гамма–квантлар билан нурлантирилганда
ўзгариши тадқиқ этилган бўлиб, олинган натижаларни тушунтирувчи намуна
ҳажмидаги кичик ва катта ўтказувчанлик соҳалари орасидаги потенциал тўсиқнинг
радиациявий катталашиши модели таклиф қилинган.
в работе изучено изменение электрофизических свойств кремния,
компенсируемых радиационными дефектами при повторном облучении гамма-квантом,
и предложена модель увеличения при излучении потенциального барьера между высоко- и
низко проводимых областях.
in the paper investigated the change in electrophysical properties of silicon
compensated by radiation defects when re-irradiated by gamma-quantum, and proposed a model of
radiation magnification of the potential barrier between small and high conductivity fields.
№ | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
---|---|---|---|
1 | Kurbanov A.O. |
№ | Havola nomi |
---|---|
1 | Yang,J,Li,X.,Liu,C.,Fleetwood,D.M.The effect of ionization and displacement damage on minority carrier lifetime // Microelectronics Reliability.2018,-V.82,-P.124-129. |
2 | Ermolov P.,Karmanov D.,Leflat A.,Manankov V.,Merkin M.,SHabalina E. Neytronno- navedennie effekti v zonnom kremnii, obuslovlennie divakansionnimi klasterami s tetravakansionnim yadrom // FTP. -Sankt-Peterburg, 2002, -T.36,-№ 10, -S.1194-1201. |
3 | Makhkamov Sh.,Karimov M.,Khakimov Z.M.,Odilova N.Dj.,Makhmudov Sh.A., Kurbanov A.O.,and Begmatov K.A. Interaction of deep impurities with radiation defects in n-Si at -irradiation // Radiation effects. and defects in solids.–Berlin, 2005. -V.160. -№8. - R.349-356. |
4 | Karimov M.Radiatsionno-fizicheskie protsessi v kompensirovannom kremnii. Avtoref.dis.dok.-fiz.-mat. nauk. -Tashkent, 2001.- 31 s. |