KREMNIYLI QUYOSH ELEMENTLARINING AYRIM XUSUSIYATLARI

Mazkur ish kremniy asosidagi quyosh elementlari xususiyatlarini o’rganishga bag’ishlangan. Kremniyda
tok tashuvchilarning diffuziya uzunligi Galliy arseniddagidan kattaligi sababli, yorug’lik ta’sirida hosil bo’lgan tok tashuvchilar ko’proq to’planishi undan foydalanishning qulay tomonlaridan biri ekanligi ko’rsatilgan. Kremniyli quyosh elementlari ochiq fazoda ishlatilayotganida uning xususiyatlarini buzuvchi “radiatsion nuqsonlar” asosiy bo’lmagan tok tashuvchilarning yashash vaqtlarini uzunligini kamayishiga olib kelib,quyosh elementining hajmida yorug’lik ta’sirida optik qo’zg’alishlarga sezgir markazlarni kamaytirishi belgilab o’tildi.

Данная работа посвящена изучению свойств солнечных элементов на основе кремния. Показано, что длина диффузии носителей тока в кремнии больше, чем в арсениде галлия, и накопления носителей тока, образованных светом, больше в кремнии. И это обеспечивает его преимущество
в практическом использовании. Отмечено, что при эксплуатации этих солнечных элементов радиационные дефекты уменьшают время жизни неосновных носителей тока, тем самым уменьшают оптически чувствительные центры в объёме изделий.

Th present article is devoted to the study of solar elements properties of the most reliable and fi nancially benefi cial converting process of solar energy into electric energy based on semiconductor silicon. Silicon is the biggest longitude diffusion than CaAs, so it is shown that current carriers are generated more by sunlight.
During the exploitation of this solar elements defects lessen the the life of secondary carries of electric energy and as a result of it it disseminates the optical sensitivity of solar centers in amount of products.