Мақолада МДЯ тузилмалар сирт ҳолатларининг электрофизик хоссалари вольт-фарад характеристикаси усуллари асосида тадқиқ қилинган ҳамда яримўтказгич сирти соҳасида қўйилган куч-
ланишга боғлиқ ҳолда бойитилган, камбағаллашган ва инверс қатламлари мавжуд бўлиши кўрсатиб берилган.
Мақолада МДЯ тузилмалар сирт ҳолатларининг электрофизик хоссалари вольт-фарад характеристикаси усуллари асосида тадқиқ қилинган ҳамда яримўтказгич сирти соҳасида қўйилган куч-
ланишга боғлиқ ҳолда бойитилган, камбағаллашган ва инверс қатламлари мавжуд бўлиши кўрсатиб берилган.
В статье на основе методов вольт-фарадных характеристик исследованы электрофизические свойства поверхностных состояний МДП структур и показано появление обогащенного, обеднен-
ного и инверсного слоев в ОПЗ в зависимости от приложенного напряжения.
The electrophysical properties of the surface states of MDP structures are studied on the basis of the methods of volt-farad characteristics and the appearance of a deified, depleted and inverted layers in the SCF is shown, depending on the applied voltage.
| № | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
|---|---|---|---|
| 1 | Karimov I.N. | professor | Andijon davlat universiteti |
| 2 | Nosirov M.Z. | dotsent | Andijon davlat universiteti |
| 3 | Madumarova L.. | ||
| 4 | Ergasheva M.A. | dotsent | Namangan davlat universiteti |
| № | Havola nomi |
|---|---|
| 1 | 1. Зайнобидинов С., Акромов Х. Яримўтказгичлар параметрларини аниқлаш усуллари.- Т.: Ўзбекис- тон, 2001.- 318 б. 2. Зайнобидинов С., Тешабоев А. Яримўтказгичлар физикаси.- Т.: Ўқитувчи, 1999.- 24 б. 3. Колешко В.М., Каплан Т.Д. С-V методы измерения параметров МОП структуры. Обзоры по элект- ронной технике. Сер.3. Микроэлектроника. вып.2/456/М. ЦНИИ, Электроника, 1977 г. 4. Каримов И.Н. Влияние внешних воздействий на свойства границы раздела полупроводник-диэ- лектрик МДП структур. Дисс... канд.физ.-мат.наук.- Баку, 1986. |