n-(GaAs) – р-(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y гетеротузилмаларининг фотосезгирлик спектрлари уларни фотонлар энергияси 1.1 дан 2.7 эВ гача бўлган фототокли қуёш нурланишларида қўллаш мумкинлигини кўрсатади. Фотонлари 1.38 ва 2.62 эВ энергияларида фотосезгирлик чўққилари аниқланди.
n-(GaAs) – р-(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y гетеротузилмаларининг фотосезгирлик спектрлари уларни фотонлар энергияси 1.1 дан 2.7 эВ гача бўлган фототокли қуёш нурланишларида қўллаш мумкинлигини кўрсатади. Фотонлари 1.38 ва 2.62 эВ энергияларида фотосезгирлик чўққилари аниқланди.
Спектральная фоточувствительность n-(GaAs) – р-(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y гетероструктуры показывает возможность ее применения в области энергии фотонов от 1,1 до 2,7 эВ спектра солнечного излучения. Обнаружены два пика фоточувствительности при энергии фотонов 1,38 и 2,62 эВ.
The spectral photosensitivity of the n-(GaAs) – р-(GaAs)1-x-y(ZnSe)x(Ge2)y is shown work possibility in the photon energy area from 1.1 to 2.7 eV of the solar radiation spectrum. Two peaks of photosensitivity of these samples at the photon energy of 1.38 and 2.62 eV are detected.
№ | Muallifning F.I.Sh. | Lavozimi | Tashkilot nomi |
---|---|---|---|
1 | Zaynobidinov S.Z. | professor | Andijon davlat universiteti |
2 | Saidov A.S. | O'zFA "Fizika-Quyosh" FTI | |
3 | Boboyev A.Y. | O'zbekiston Milliy universitet | |
4 | Akbarov A.J. | O'zbekiston Milliy universitet |
№ | Havola nomi |
---|---|
1 | 1. Каленик Д.В. Технология материалов электроники.- Челябинск: ЮУрГУ, 2001.- С.119. 2. Брызгалов А.Н. и др. 2004. ФТП. 38. 3. 322-324. 3. Андреев В.М. и др. 2004. ФТП. 38. 3. с.369-373 4. K.Takahashi at el. 1998. Solar Energy Materials and Solar Cells. V.50. pp.273-280. 5. Saidov A.S. et al. 2001. Materials chemistry and physics. V. 68, pp.1-6. 6. Андреев В.М. и др. Жидкостная эпитаксия в технологии полупроводниковых приборов.- М.: Сов.радио, 1975.- С.328. 7. Хансен М., Андерко К. Структуры двойных сплавов.- М.: Металлургиздат, 1962.- С.608. 8. Саидов А.С. и др. Жидкостная эпитаксия компенсированных слоев арсенида галлия и твердых растворов на его основе.- Т.: Фан, 1986.- С.127. 9. Шулпина И.Л. и др. ЖТФ. 2010. Т.80 №4. с.105-114. 10. Саидов М.С. Гелиотехника. 2001. №3. с.4-10. 11. Саидов А.С. 2009. Многокомпонентний твердый раствор (ZnSe)1-x-y(Si2)x(GaP)y.- Припринт.- Ташкент. ИЯФ АН РУз. С.14. |