778
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2020, том 2, выпуск 3 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 2 | ||
| Nashr etilgan sana | 25/06/2020 | ||
| Sahifalar | 70 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 3 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
DIFFUSION OF CLUSTERS OF IMPURITY NICKEL ATOMS IN A SILICON LATTIC Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 9-12 | 246 | 0 |
|
DEFECT FORMATION DURING LOW-TEMPERATURE ANNEALING OF SILICON DOPED WITH ION IMPURITIES Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 13-16 | 251 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 17-19 | 213 | 0 |
|
FERMI THEORY ON DIMENSION EFFECTS IN MULTIPLE EXCITON GENERATION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 20-22 | 235 | 0 |
|
FEATURES OF SILICON p-n STRUCTURES WITH A LARGE SENSITIVE SURFACE AND A VOLUME CHARGE AREA Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 23-26 | 291 | 0 |