986

Nashriyot haqida ma'lumot

Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI

Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.

Telefon: +998 71 248 79 94

Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru

Nomi 2020, том 2, выпуск 4
Jurnal Физика полупроводников и микроэлектроника
Tom raqami 2
Nashr etilgan sana 25/08/2020
Sahifalar 69
Bu yil bo'yicha nashr raqami 4
Umumiy soni 6
Fayl
Kutilmoqda
Maqolaning to'liq nomi Til Sahifa Ko'rishlar soni O'qishlar soni

INVESTIGATION OF RECOMBINATIONAL PROCESSES THROUGH PHOTOELECTRIC CONDUCTIVITY OF THE FILM OF HYDROGENATED AMORPHOUS SILICON AND ITS MODIFICATION

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 9-13 483 0

INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 14-17 601 0

DETERMINING THE LIFETIME OF MINORITY CHARGE CARRIERS AND IRON IMPURITY CONCENTRATION IN SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH SUBMICRON LAYERS

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 18-21 445 0

PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 22-24 516 0

STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION

Физика полупроводников и микроэлектроника

 Ingliz 25-28 495 0