461
Nashriyot haqida ma'lumot
Nomi:OʻzMU huzuridagi Yarimoʻtkazgichlar fizikasi va mikroelektronika ITI
Manzil:100057, Toshkent sh., Olmazor tum., Yangi Olmazor koʻchasi, 20 uy.
Telefon: +998 71 248 79 94
Elektron pochta: ispm_uz@mail.ru
| Nomi | 2020, том 2, выпуск 4 | ||
| Jurnal | Физика полупроводников и микроэлектроника | ||
| Tom raqami | 2 | ||
| Nashr etilgan sana | 25/08/2020 | ||
| Sahifalar | 69 | ||
| Bu yil bo'yicha nashr raqami | 4 | ||
| Umumiy soni | 6 | ||
| Fayl | |||
| Maqolaning to'liq nomi | Til | Sahifa | Ko'rishlar soni | O'qishlar soni |
|---|---|---|---|---|
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 9-13 | 205 | 0 |
|
INVESTIGATION OF DEFECT FORMATION PROCESSES IN SILICON WITH IRON IMPURITY Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 14-17 | 273 | 0 |
|
Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 18-21 | 177 | 0 |
|
PHOTOELECTRIC MEASUREMENTS OF SELENIUM DOPED SILICON Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 22-24 | 216 | 0 |
|
STRUCTURAL FEATURES OF THE THIN-FILM N-ZnO/P-Si HETEROJUNCTION Физика полупроводников и микроэлектроника |
Ingliz | 25-28 | 190 | 0 |