logo
Semiconductor Physics and Microelectronics
Journal
Semiconductor Physics and Microelectronics
Go to journal
Issue cover

2019, Том 1, выпуск 3

Published date
25 Iyun 2019
Volume
1
Issue
№3
ISSN
2181-9947

Related articles

Total: 10 items
1

ИССЛЕДОВАНИЕ ДЕГРАДАЦИИ СИЛОВЫХ ДИОДОВ С БАРЬЕРОМ ШОТТКИ ПРИ ВОЗДЕЙСТВИЯ -КВАНТАМИ 60Сo

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0003
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view31
2

СОЗДАНИЕ ФОТОДЕТЕКТОРОВ НА ОСНОВЕ ПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ p –CdTe–ZnSeC ГЛУБОКИМИ ПРИМЕСНЫМИ УРОВНЯМИ

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0002
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view32
3

СТРУКТУРНЫЕ ОСОБЕННОСТИ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ТВЕРДОГО РАСТВОРА (GaAs1-δBiδ)1-x-y(Ge2)x(ZnSe)y

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0036
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view33
4

ИССЛЕДОВАНИЕ ДИАПАЗОНА УСТОЙЧИВОЙ РАБОТЫ КАСКАДНОГО ИНЖЕКЦИОННО-ВОЛЬТАИЧЕСКОГО ТРАНЗИСТОРА В ОБЛАСТИ ВОЗНИКНОВЕНИЯ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ЛАВИННОГО ПРОБОЯ

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0031
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view28
5

ЭНЕРГЕТИЧЕСКИЙ СПЕКТР ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ МОЛИБДЕНА

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0034
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view33
6

ОСОБЕННОСТИ ТЕРМОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ КРЕМНИЕВЫХ СТРУКТУР С ОБЕДНЕННОЙ БАЗОВОЙ ОБЛАСТЬЮ

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0033
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view27
7

ОСОБЕННОСТИ НОВОЙ КОНСТРУКЦИИ БАЛКИ ДЛЯ ВЕСОИЗМЕРИТЕЛЬНОГО ДАТЧИКА

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0032
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view31
8

РОЛЬ ТЕРМООБРАБОТКИ В ФОРМИРОВАНИИ ДЕФЕКТОВ В КРЕМНИИ С ПРИМЕСЬЮ КОБАЛЬТА

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0029
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view32
9

РАЗМЕРНОЕ КВАНТОВАНИЕ В ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ КВАНТОВОЙ ЯМЕ. МОДЕЛЬ ДРЕССЕЛЬХАУЗА

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0030
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view31
10

ВЛИЯНИЕ МАТЕРИАЛА БУФЕРНОГО СЛОЯ НА СПЕКТР ФОТОЧУВСТВИТЕЛЬНОСТИ ГЕТЕРОСТРУКТУР НА ОСНОВЕ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО СЛОЯ ТЕЛЛУРИДА КАДМИЯ

Semiconductor Physics and Microelectronics
ROI: https://eroi.uz/11.0066/A1219-0035
DOI:Not Available
calendar26 Dekabr 2019
view35